| 发明名称 | 半导体装置及其驱动方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。 | ||
| 申请公布号 | CN101523614A | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200780038121.3 | 申请日期 | 2007.11.20 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 森田竜夫;柳原学;石田秀俊;上本康裕;上野弘明;田中毅;上田大助 |
| 分类号 | H01L29/80(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/80(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置，其中：该半导体装置包括：半导体层叠层体，形成在衬底上、具有沟道区域，第一电极与第二电极，相互间有间隔地形成在所述半导体层叠层体上，第一栅电极与第二栅电极，该第一栅电极形成在所述第一电极与所述第二电极之间，该第二栅电极形成在该第一栅电极和所述第二电极之间，以及第一控制层，形成在所述半导体层叠层体与所述第一栅电极之间、具有p型导电性。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||