| 发明名称 | 配线基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 通过等离子体将基板的表面氮化，形成氮化的树脂层，然后在形成铜膜之前形成薄的氮化铜膜，提高配线层与树脂层的密合性。 | ||
| 申请公布号 | CN102090158A | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200980126816.6 | 申请日期 | 2009.05.29 |
| 申请人 | 国立大学法人东北大学;株式会社大昌电子 | 发明人 | 大见忠弘;后藤哲也 |
| 分类号 | H05K3/38(2006.01)I;H05K1/11(2006.01)I;H05K3/18(2006.01)I;H05K3/42(2006.01)I | 主分类号 | H05K3/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 一种配线基板，其特征在于，在电绝缘层上形成了配线图案的配线基板中，在所述电绝缘层的表面中至少在密合有所述配线图案的区域，所述电绝缘层被氮化并与构成所述配线图案的至少一部分的金属的氮化物密合。 | ||
| 地址 | 日本国宫城县 | ||