| 发明名称 | 薄膜器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在具有缠绕于磁性膜上的薄膜线圈时能够提高Q值的薄膜器件。在缠绕于磁性膜(13)上的薄膜线圈(14)上，由下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(13)夹持的下部线圈部分(14A)的厚度TA比没有被下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(13)夹持的上部线圈部分(14B)的厚度TB大(厚度比TB/TA＜1)。与下部线圈部分(14A)的厚度TA为上部线圈部分(14B)的厚度TB以下的情况(厚度比TB/TA≥1)相比，在下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(13)之间，交链下部线圈部分(14A)的过渡磁通的量减少。 | ||
| 申请公布号 | CN101071677B | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200710092140.6 | 申请日期 | 2007.04.02 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 藤原俊康;崔京九 |
| 分类号 | H01F37/00(2006.01)I;H01F27/255(2006.01)I;H01F30/00(2006.01)I | 主分类号 | H01F37/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 一种薄膜器件，其特征在于，具有：相互对置配置的第一磁性膜以及第二磁性膜；和缠绕在所述第二磁性膜上的薄膜线圈，所述薄膜线圈包括：配置在所述第一以及第二磁性膜之间的多个第一线圈部分；隔着所述第二磁性膜配置在所述第一线圈部分的相反侧的多个第二线圈部分；以及将所述第一以及第二线圈部分串联连接起来的多个第三线圈部分，所述第一线圈部分的厚度比所述第二线圈部分的厚度大。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||