| 发明名称 | 具有台阶型源/漏区的器件 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供了具有台阶源/漏区的晶体管。台阶源/漏区可在沟道区中实现显著的应变并使电流泄漏最小化。通过在衬底中形成两个凹槽来产生台阶凹槽并在凹槽中形成源/漏区，从而形成台阶源/漏区。 | ||
| 申请公布号 | CN101133482B | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200680006841.7 | 申请日期 | 2006.01.05 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | G·库尔洛;B·泽尔;S·泰亚吉;C·奥思 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曾祥夌;张志醒 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，具有上表面及第一和第二台阶型源/漏区凹槽；第一台阶型源/漏区凹槽中的第一台阶型源/漏区，其中所述第一台阶型源/漏区包括第一半导体材料的第一层和第一半导体材料的第二层；第二台阶型源/漏区凹槽中的第二台阶型源/漏区，其中所述第二台阶型源/漏区包括第一半导体材料的第三层和第一半导体材料的第四层；其中，第一和第二台阶型源/漏区凹槽各有延伸到所述衬底的上表面之下第一深度的第一台阶和延伸到所述衬底的上表面之下的第二深度的第二台阶，第二深度大于第一深度；并且其中，第一台阶型源/漏区凹槽的第一台阶和第二台阶型源/漏区凹槽的第一台阶之间的最小距离小于第一台阶型源/漏区凹槽的第二台阶和第二台阶型源/漏区凹槽的第二台阶之间的最小距离。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||