| 发明名称 | 用于集成替换金属栅极结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于集成替换金属栅极结构的方法。本发明描述了形成微电子器件的方法和相关结构。那些方法包括：提供包括包含n-型栅极材料的第一晶体管结构和包含p-型栅极材料的第二晶体管结构的衬底，选择性地去除n-型栅极材料以在第一栅极结构中形成凹进，然后用n-型金属栅极材料填充该凹进。 | ||
| 申请公布号 | CN102087999A | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN201010591397.8 | 申请日期 | 2004.12.21 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J·卡瓦利罗斯;J·K·布拉斯克;M·L·多茨;S·A·哈尔兰德;M·V·梅茨;C·E·巴恩斯;R·S·仇 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 徐予红;高为 |
| 主权项 | 一种用于集成替换金属栅极结构的方法，包括：提供包括包含n‑型栅极材料的第一晶体管结构和包含p‑型栅极材料的第二晶体管结构的衬底；选择性地去除n‑型栅极材料以在第一栅极结构中形成凹进，其中所述n‑型栅极材料和所述p‑型栅极材料都暴露于选择性地去除处理；以及用n‑型金属栅极材料填充该凹进；其中选择性地去除n‑型栅极材料包括：通过用去离子水中约百分之2至约百分之30的氢氧化铵的混合物湿法蚀刻n‑型栅极材料以及施加从约0.5MHz至约1.2MHz的超声降解，来选择性地去除n‑型栅极材料。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||