| 发明名称 | 多晶硅层的蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种多晶硅层的蚀刻方法，包括：蚀刻第一层多晶硅；淀积第一侧墙；蚀刻第一侧墙；生长低压栅氧化层；淀积第二层多晶硅；淀积硅化钨层；蚀刻硅化钨层和第二层多晶硅；淀积第二侧墙；蚀刻第二侧墙。本发明采用单独对第一层多晶硅淀积侧墙的工艺，解决了蚀刻第二层和之后层次的多晶硅后，在第一层多晶硅侧壁产生残留缺陷的问题，同时很好的保证了第一层多晶硅的栅极形貌。 | ||
| 申请公布号 | CN102087963A | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200910188616.5 | 申请日期 | 2009.12.04 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 桂林春;赵志勇;林奕琼 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 何平 |
| 主权项 | 一种多晶硅层的蚀刻方法，包括：蚀刻第一层多晶硅；淀积第一侧墙；蚀刻第一侧墙；生长栅氧化层；淀积第二层多晶硅；淀积硅化钨层；蚀刻硅化钨层和第二层多晶硅；淀积第二侧墙；蚀刻第二侧墙。 | ||
| 地址 | 214000 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||