纳米结晶形成

摘要

在一实施例中，本发明提供一种在一基材上形成一金属纳米结晶材料的方法，此方法包括：曝露一基材于一预处理工艺，在基材上形成一穿遂介电层，曝露基材于一后处理工艺，在穿遂介电层上形成一金属纳米结晶层，及在金属纳米结晶层上形成一介电覆盖层。此方法更提供形成具有纳米结晶密度为至少约5 x 1012cm-2的金属纳米结晶层，尤以具有至少约8 x 1012cm-2为佳。在一范例中，此金属纳米结晶层含有铂、钌或镍。在另一实施例中，本发明提供一种在基材上形成一多层的金属纳米结晶材料的方法，此包含：形成数个双层，其中每一双层包含沉积于一金属纳米结晶层上的一中间介电层。某些范例包括10、50、100、200或更多的双层。

主权项

一种在一基材上形成一金属纳米结晶材料的方法，其包括：曝露一基材于一预处理工艺；在该基材上形成一穿遂介电层；曝露该基材于一后处理工艺；在该穿遂介电层上形成一金属纳米结晶层；及在该金属纳米结晶层上形成一介电覆盖层，其中所述预处理工艺提供一成核表面或一种晶表面在该基材上，且该成核表面或该种晶表面通过选自下列工艺组成的组群中的工艺而形成：原子层沉积、P3i泛流工艺、电荷枪泛流工艺及其组合。