电极覆盖材料、电极结构和半导体装置,申请号CN200780043517.7-传众专利搜索

发明名称	电极覆盖材料、电极结构和半导体装置
摘要	本发明提供了一种电极覆盖材料、一种电极结构和一种半导体装置，该半导体装置由场效应晶体管构成，该场效应晶体管具有栅极(13)、栅绝缘层(14)、由有机半导体材料层构成的通道形成区域(16)、和由金属制成的源极/漏极(15)。该源极/漏极(15)在其与构成所述通道形成区域(16)的有机半导体材料层所接触的部分用电极覆盖材料(21)所覆盖。由于该电极覆盖材料(21)由具有可结合至金属离子的官能团和结合至由金属制成的源极/漏极(15)的官能团的有机分子构成，所以获得了低接触电阻和高迁移率。
申请公布号	CN101542698B	申请公布日期	2011.06.08
申请号	CN200780043517.7	申请日期	2007.11.21
申请人	索尼株式会社	发明人	村田昌树;米屋伸英;木村典生
分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I	主分类号	H01L21/336(2006.01)I
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司 11240	代理人	余刚;吴孟秋
主权项	1.一种电极覆盖材料，其特征在于，由式(1)表示的有机分子构成，其中，官能团Y结合至由金属制成的电极的表面，[化学式1]<img file="FSB00000356069300011.GIF" wi="382" he="257" />其中所述式(1)中的X为以下式(2-1)～(2-10)中的任意或无，所述式(1)中的Y为以下式(3-1)～(3-12)中的任意，所述式(1)中的R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>分别为以下式(4-1)～(4-19)中的任意，Z<sub>1</sub>、Z<sub>2</sub>、Z<sub>3</sub>、Z<sub>4</sub>、Z<sub>5</sub>和Z<sub>6</sub>分别为以下式(5-1)～(5-18)中的任意，n和m分别为1以上的整数，[化学式2]<img file="FSB00000356069300012.GIF" wi="1332" he="1035" />[化学式3]HS- (3-1) HOOC- (3-2) H<sub>2</sub>N-(3-3)HOSi- (3-4) -S- (3-5) NC- (3-6)OCN- (3-7) NCS- (3-8) HO- (3-9)<img file="FSB00000356069300021.GIF" wi="1412" he="249" />[化学式4]<img file="FSB00000356069300022.GIF" wi="1551" he="1907" />[化学式5]-H (5-1) -F (5-2) -Cl (5-3)-Br (5-4) -I (5-5) -CH<sub>3</sub>(5-6)-(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>CH<sub>3</sub> (5-7) -OCH<sub>3</sub> (5-8) -O(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>CH<sub>3</sub> (5-9)-COOH (5-10) -(C＝O)H (5-11) -(C＝O)CH<sub>3</sub> (5-12)-(C＝O)(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>CH<sub>3</sub> (5-13) -(C＝O)OCH<sub>3</sub> (5-14)-(C＝O)O(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>CH<sub>3</sub> (5-15) -C<sub>6</sub>H<sub>5</sub> (5-16)-(C＝O)C<sub>6</sub>H<sub>5</sub> (5-17) -(C＝O)OC<sub>6</sub>H<sub>5</sub>(5-18)
地址	日本东京