| 发明名称 | 小线宽沟槽式功率MOS晶体管及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种小线宽沟槽式功率MOS晶体管，该功率MOS晶体管的单元区内无接触孔。此外，本发明还公开了该小线宽沟槽式功率MOS晶体管的制造方法，包括如下步骤：(1)在已做完栅极二氧化硅硬阻挡层刻蚀的硅基片上进行源注入、去光阻，热扩散推进；(2)依次进行栅极沟道刻蚀、栅极氧化膜生长，栅极多晶硅淀积、栅极多晶硅回刻，body区注入、推进；(3)栅极二氧化硅淀积、回刻，层间电介质淀积；(4)层间电介质曝光、刻蚀，离子注入形成欧姆接触；(5)金属淀积、刻蚀；(6)后续工艺包括常规的钝化、合金工艺。本发明解决了接触孔的套准精度问题，使得沟槽式功率MOS晶体管进一步缩小线宽成为可能。 | ||
| 申请公布号 | CN102088032A | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200910201911.X | 申请日期 | 2009.12.08 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 邵向荣;魏炜;殷建斐 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种小线宽沟槽式功率MOS晶体管，其特征在于：该功率MOS晶体管的单元区内无接触孔。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||