发明名称 | 功率半导体模块 | ||
摘要 | 根据本发明的功率半导体模块包括:将功率半导体器件包容其中的模块封装件2A,以及形如框架、且设置在模块2A周围的磁芯6a,从而磁芯6a围绕诸如IGBT的功率半导体器件的芯片8;或者是根据本发明的功率半导体模块包括将功率半导体包容其中的模块封装件2B,以及形如框架、且内置于模块封装件2B中的磁芯6e,从而磁芯6e的外围面和模块封装件2B的侧面形成所述功率半导体模块的平整侧面。根据本发明的功率半导体模块易于将磁芯替换掉,并且有助于减小其尺寸,简化结构以及制造工艺。 | ||
申请公布号 | CN1885535B | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
申请号 | CN200610095628.X | 申请日期 | 2006.06.19 |
申请人 | 富士电机系统株式会社 | 发明人 | 田久保拡 |
分类号 | H01L25/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 侯颖媖 |
主权项 | 一种功率半导体模块,包括:功率半导体器件;模块封装件,所述功率半导体器件在该模块封装件中;以及按框架成形的磁芯,所述磁芯围绕所述模块封装件进行嵌合,从而所述磁芯围绕在所述功率半导体器件周围。 | ||
地址 | 日本东京 |