| 发明名称 | 功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件，通过在正常栅极沟道间增加肖特基沟道，在肖特基沟道间形成肖特基二极管。此外，本发明还公开了该器件的制造方法，包括如下步骤：(1)在硅衬底上进行栅极沟道和肖特基沟道刻蚀，形成栅极沟道之间嵌入肖特基沟道；(2)有光阻阻挡肖特基沟道区域的body注入与源注入；(3)层间电介质淀积，接触孔曝光、刻蚀，接触孔注入形成欧姆接触；(4)肖特基接触沟槽曝光、刻蚀；(5)金属沉积，在肖特基接触沟槽底部、金属与外延层接触形成肖特基二极管；(6)后续工艺包括常规的金属曝光、刻蚀、合金工艺。本发明在不增加芯片面积的前提下提高了器件的交频特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102088020A | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200910201907.3 | 申请日期 | 2009.12.08 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 邵向荣;魏炜 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件，其特征在于：通过在正常栅极沟道间增加肖特基沟道，在肖特基沟道间形成肖特基二极管。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||