荧光陶瓷及其制备方法

摘要

本发明涉及用M掺杂的具有通式Gd2O2S的荧光陶瓷，其中M代表至少一种选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的元素，其中所述荧光陶瓷在其体积内包括单相；本发明还涉及采用单轴热压制备荧光陶瓷的方法；用于检测电离辐射的检测器和所述检测器用于检测电离辐射的用途。所述采用单轴热压制造荧光陶瓷材料的方法包括下列步骤：a)选择用M掺杂的Gd2O2S颜料粉末，且M代表至少一种选自Eu、Tb、Yb、Dy、Sm、Ho、Ce和/或Pr的元素，其中所述用于热压的粉末的晶粒大小为1μm，且所述热压在1000℃-1400℃温度下进行；和/或在100MPa-300Mpa压力下进行；在700℃-1200℃下空气退火0.5小时至30小时。

主权项

一种采用单轴热压制备荧光陶瓷材料的方法，所述方法包括下列步骤：a)选择用M掺杂的Gd2O2S颜料粉末，且M代表至少一种选自Yb、Dy、Sm、Ho、Ce和/或Pr的元素，其中所述用于热压的粉末的晶粒大小为1μm‑20μm，且所述热压在真空下在以下条件下进行1000‑1400℃的温度；和/或100MPa‑300MPa的压力；b)在700℃‑1200℃下空气退火0.5小时至30小时。