半导体反射器之集成光学侦测器

主权项

一种用于光学侦测之装置，包含：一反射表面，其被界定于半导体材料上，该反射表面用以将一入射光束反射朝向一光学目的地；及一光学侦测器，其被单体性地整合于该半导体材料的反射表面中及/或附近，该光学侦测器配置于该半导体材料的反射表面中以侦测该入射光束。如申请专利范围第1项之装置，进一步包含一垂直腔表面发射雷射以产生该入射光束。如申请专利范围第1项之装置，其中该半导体材料包含被包括在一集成电路晶片中之一矽基材。如申请专利范围第1项之装置，进一步包含位于该光学目的地处之一光纤。如申请专利范围第4项之装置，其中该光纤系设置在被界定于该半导体材料中之一V沟槽中。如申请专利范围第1项之装置，其中该光学侦测器包含一光检测器，该光检测器被单体性地整合于该半导体中反射该入射光束之该反射表面上的一位置处。如申请专利范围第6项之装置，其中位于反射该入射光束之该反射表面上的该位置处的该光检测器的一中央区相对于位于反射入射光束之该反射表面上的该位置处之该光检测器的一外部区而言相当具有反射性。如申请专利范围第7项之装置，其中该中央区的面积实质上大于该外部区的面积。如申请专利范围第8项之装置，其中该外部区实质上具有吸收性。如申请专利范围第1项之装置，其中该反射表面实质上呈平面状态。如申请专利范围第1项之装置，其中该反射表面实质上呈非平面状态。如申请专利范围第1项之装置，其中该光学侦测器为被单体性地整合于该半导体材料中之复数个光学侦测器中的一者，其中该等复数个光学侦测器中的各者系位于个别的一反射表面上，以个别地侦测入射在该反射表面上且自该反射表面反射之复数个光束中的各别光束。一种用于光学侦测之方法，包含下列步骤：将一光束导引朝向一半导体材料；自界定于该半导体材料中之一反射表面实质地反射该光束；以被单体性地整合于该半导体材料的该反射表面中之光检测器来侦测入射在界定于该半导体材料中之该反射表面上的该光束；及导引自该半导体材料反射之该光束至一光学目的地。如申请专利范围第13项之方法，进一步包含下列步骤：以被单体性地整合于该半导体材料的该反射表面中之该光检测器来监测自一光源所接收之该光束的功率。如申请专利范围第13项之方法，进一步包含下列步骤：以被单体性地整合于该半导体材料的该反射表面中之该光检测器来衡量由产生该光束之一光源所产生的一信号之一熄灭比。如申请专利范围第13项之方法，其中导引自该半导体材料反射之该光束之步骤包含下列步骤：以该反射表面将该光束聚焦至该光学目的地中。一种用于光学侦测之系统，包含：一光源，其系用以产生一光束；一反射表面，其被界定于半导体材料上，该反射表面系用以反射自该光源所接收之该光束；一光学侦测器，其被单体性地整合于该半导体材料的该反射表面中，该光学侦测器系配置于该半导体材料的该反射表面中以侦测该入射光束；一光纤，其系设置于该半导体材料中，该反射表面系用以将自该光源接收之该光束反射至该光纤的一端中；及一光学接收器，其光学耦合至该光纤的另一端以接收该光束。如申请专利范围第17项之系统，其中该光源包含一垂直腔表面发射雷射。如申请专利范围第17项之系统，进一步包含被包括在该半导体材料中且耦合至该光学侦测器之一积体电路，该积体电路系耦合来自该光检测器接收一电气信号以侦测该光束。如申请专利范围第17项之系统，进一步包含被包括在与该半导体材料分离的一半导体基材中且电性耦合至该光学侦测器之一积体电路，该积体电路系耦合来自该光检测器接收一电气信号以侦测该光束。