发明名称 抑制热载子劣化效应之混合电压输出入缓冲器
摘要
申请公布号 TWI334697 申请公布日期 2010.12.11
申请号 TW096136557 申请日期 2007.09.29
申请人 晶焱科技股份有限公司 发明人 柯明道;蔡惠雯;姜信钦
分类号 H03K19/0185 主分类号 H03K19/0185
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种混合电压输出入缓冲器,其耦接至一焊垫,包括:一前级驱动单元,输出一第一信号及一第二信号;一基体电压产生单元,用以依据该焊垫之电压准位而决定将一第一电压或该焊垫之电压导接输出做为一基体电压;一第一电晶体,其闸极接收该第一信号,其第一源/汲极耦接该第一电压,其第二源/汲极耦接该焊垫,其基体耦接该基体电压;一第二电晶体,其闸极接收该基体电压,其第一源/汲极耦接该第一电晶体之第二源/汲极;一第三电晶体,其闸极接收该第二信号,其第一源/汲极耦接该第二电晶体之第二源/汲极,其第二源/汲极耦接一第二电压;以及一输入级单元,耦接该第三电晶体之第一源/汲极,用以接收该焊垫之一输入信号。如申请专利范围第1项所述之混合电压输出入缓冲器,更包括:一闸极电压追随单元,耦接于该第一电晶体之闸极与该前级驱动单元之间,其中若该焊垫之电压大于该第一信号,则选择将该焊垫之电压导引输出给该第一电晶体之闸极,否则选择将该第一信号导引输出给该第一电晶体之闸极。如申请专利范围第2项所述之混合电压输出入缓冲器,其中该闸极电压追随单元包括:一第四电晶体,其闸极耦接该基体电压,其第一源/汲极耦接该前级驱动单元,其第二源/汲极耦接该第一电晶体之闸极;以及一第五电晶体,其闸极耦接该第一电压,其第一源/汲极耦接该第一电晶体之闸极,其第二源/汲极耦接该第一电晶体之第二源/汲极,其基体耦接该基体电压。如申请专利范围第3项所述之混合电压输出入缓冲器,其中该闸极电压追随单元更包括:一第六电晶体,其第一源/汲极耦接该第四电晶体之第一源/汲极,其第二源/汲极及基体耦接该第四电晶体之第二源/汲极;以及一第七电晶体,其闸极耦接该第三电晶体之第一源/汲极,其第一源/汲极耦接该第六电晶体之闸极,其第二源/汲极及基体耦接该第一电晶体之第二源/汲极。如申请专利范围第4项所述之混合电压输出入缓冲器,其中该闸极电压追随单元更包括:一第八电晶体,其闸极耦接该第一电压,其第一源/汲极耦接该前级驱动单元,其第二源/汲极耦接该第四电晶体之第一源/汲极;以及一第九电晶体,其闸极耦接该第七电晶体之第一源/汲极,其第一源/汲极耦接该第八电晶体之第一源/汲极,其第二源/汲极耦接该第八电晶体之第二源/汲极。如申请专利范围第4项所述之混合电压输出入缓冲器,其中该闸极电压追随单元更包括:一第十电晶体,其闸极耦接该基体电压,其第一源/汲极耦接该第六电晶体之闸极;以及一第十一电晶体,其闸极接收一致能信号,其第一源/汲极耦接该第十电晶体之第二源/汲极,其第二源/汲极耦接该第二电压。如申请专利范围第6项所述之混合电压输出入缓冲器,其中该闸极电压追随单元更包括:一第十二电晶体,其闸极耦接该第一电压,其第一源/汲极耦接该第十电晶体之第二源/汲极,其第二源/汲极耦接该第十一电晶体之第一源/汲极。如申请专利范围第4项所述之混合电压输出入缓冲器,其中该基体电压产生单元包括:一第十三电晶体,其闸极耦接该第一电压,其第一源/汲极耦接该第一电晶体之第二源/汲极,其第二源/汲极及基体耦接该第一电晶体之基体以输出该基体电压;一第十四电晶体,其闸极耦接该第七电晶体之第一源/汲极,其第一源/汲极耦接该第一电压,其第二源/汲极及基体耦接该第十三电晶体之第二源/汲极。如申请专利范围第3项所述之混合电压输出入缓冲器,该闸极电压追随单元更包括:一第六电晶体,其第一源/汲极耦接该第四电晶体之第一源/汲极,其第二源/汲极及基体耦接该第四电晶体之第二源/汲极;一第七电晶体,其第一源/汲极耦接该第六电晶体之闸极,其第二源/汲极及基体耦接该第一电晶体之第二源/汲极;一第十五电晶体,其闸极耦接该第一电压,其第一源/汲极耦接该第二电晶体之第二源/汲极,其第二源/汲极耦接该第七电晶体之闸极;以及一第十六电晶体,其闸极耦接该输入级单元,其第一源/汲极耦接该第七电晶体之闸极,其第二源/汲极及基体耦接该第一电压。如申请专利范围第9项所述之混合电压输出入缓冲器,该输入级单元包括:一第十七电晶体,其闸极耦接该第十六电晶体之闸极,其第一源/汲极耦接该第三电晶体之第一源/汲极,其第二源/汲极及基体耦接该第一电压;一反相器,其输入端耦接该第十七电晶体之第一源/汲极,其输出端耦接该第十七电晶体之闸极;以及一缓冲器,其输入端耦接该反相器之输出端。如申请专利范围第1项所述之混合电压输出入缓冲器,其中该输入级单元包括:一第十七电晶体,其第一源/汲极耦接该第三电晶体之第一源/汲极,其第二源/汲极及基体耦接该第一电压;一反相器,其输入端耦接该第十七电晶体之第一源/汲极,其输出端耦接该第十七电晶体之闸极;以及一缓冲器,其输入端耦接该反相器之输出端。如申请专利范围第1项所述之混合电压输出入缓冲器,更包括:一第十八电晶体,其闸极耦接该第一电压,其第一源/汲极耦接该第二电晶体之第二源/汲极,其第二源/汲极耦接该第三电晶体之第一源/汲极。如申请专利范围第1项所述之混合电压输出入缓冲器,其中该焊垫为一输入焊垫。如申请专利范围第1项所述之混合电压输出入缓冲器,其中该焊垫为一输出焊垫。
地址 台北县中和市中正路716号15楼之2