发明名称 浪涌抑制电路
摘要
申请公布号 TWI334679 申请公布日期 2010.12.11
申请号 TW095119571 申请日期 2006.06.02
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 发明人 彭敏;甘小林;何友光
分类号 H02H9/04 主分类号 H02H9/04
代理机构 代理人
主权项 一种浪涌抑制电路,包括一电压输入端、一电压输出端、一N通道功率MOS场效电晶体、一双极型PNP电晶体、一电容、一第一电阻及一第二电阻,该电压输入端分别与该N通道功率MOS场效电晶体之源极及该双极型PNP电晶体之射极连接,该电压输入端还透过该第一电阻与该N通道功率MOS场效电晶体之汲极连接,该双极型PNP电晶体之集极透过该第二电阻接地,该双极型PNP电晶体之基极分别与该双极型PNP电晶体之集极及该N通道功率MOS场效电晶体之闸极和汲极连接,该N通道功率MOS场效电晶体之汲极透过该电容接地,该N通道功率MOS场效电晶体之汲极还与该电压输出端连接。
地址 台北县土城市自由街2号