发明名称 | 浪涌抑制电路 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI334679 | 申请公布日期 | 2010.12.11 |
申请号 | TW095119571 | 申请日期 | 2006.06.02 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 彭敏;甘小林;何友光 |
分类号 | H02H9/04 | 主分类号 | H02H9/04 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种浪涌抑制电路,包括一电压输入端、一电压输出端、一N通道功率MOS场效电晶体、一双极型PNP电晶体、一电容、一第一电阻及一第二电阻,该电压输入端分别与该N通道功率MOS场效电晶体之源极及该双极型PNP电晶体之射极连接,该电压输入端还透过该第一电阻与该N通道功率MOS场效电晶体之汲极连接,该双极型PNP电晶体之集极透过该第二电阻接地,该双极型PNP电晶体之基极分别与该双极型PNP电晶体之集极及该N通道功率MOS场效电晶体之闸极和汲极连接,该N通道功率MOS场效电晶体之汲极透过该电容接地,该N通道功率MOS场效电晶体之汲极还与该电压输出端连接。 | ||
地址 | 台北县土城市自由街2号 |