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一种岛状突起修饰元件，其在基板上具有岛状突起部份，该岛状突起部份具有一由5至300微米之宽度及一由2至200微米之高度，该岛状突起部份系由玻璃所形成，且它们系呈球形、局部球形、半球形、钟形或山形，或系呈这些形状之二或更多种之混合，且其中该岛状突起部份以整体而言系略圆，及该岛状突起部份之数目系由20至5000/平方毫米。如申请专利范围第1项之岛状突起修饰元件，其中该岛状突起部份系形成在一玻璃喷涂薄膜上，该薄膜系形成在该基板上。如申请专利范围第1项之岛状突起修饰元件，其中形成该岛状突起部份之玻璃系石英玻璃。如申请专利范围第2项之岛状突起修饰元件，其中该喷涂薄膜具有石英玻璃。一种用于制造申请专利范围第1至4项任一项之突起修饰元件之方法，其包含在一基板之表面上或在一基板上所形成玻璃喷涂薄膜之表面上电浆喷涂一突起部份形成材料，以藉此在其上面形成岛状突起部份，且其中喷涂在该表面上之突起部份形成材料之量系由1至20毫克/平方公分表面积。一种薄膜形成装置，其包含申请专利范围第1至4项任一项之岛状突起修饰元件。一种电浆蚀刻装置，其中申请专利范围第1至4项任一项之岛状突起修饰元件系用于该元件，一薄膜可淀积在该元件上或经由电浆蚀刻法蚀刻。一种电浆清洗涤装置，其中申请专利范围第1至4项任一项之岛状突起修饰元件系用于该元件，一薄膜可淀积在该元件上或经由后面喷镀法蚀刻。如申请专利范围第1项之岛状突起修饰元件，其中该岛状突起部份系由陶瓷及/或金属所形成，且它们系呈山形及/或钟形。如申请专利范围第1项之岛状突起修饰元件，其中该岛状突起部份之高度对宽度之平均比值(高度/宽度)落在0.3及1.5之间。如申请专利范围第9或10项之岛状突起修饰元件，其中形成该岛状突起部份之基板之表面具有最多5微米之表面粗糙度Ra。如申请专利范围第9或10项之岛状突起修饰元件，其中该岛状突起部份系由具有不同熔点之材料所形成，且具有高熔点之材料被包围于另一具有低熔点之材料中，以产生该岛状突起部份。一种用于制造申请专利范围第9或10项之突起修饰元件之方法，其包含当该材料系于半熔化之状态中时，使一突起部份形成材料冲击至一基板之表面，且其中涂至该表面之材料量系由1至20毫克/平方公分表面积。一种用于制造申请专利范围第9或10项之岛状突起修饰元件之方法，其包含制备一被包围在低熔点材料中之高熔点材料微粒之喷洒粉末，及当该低熔点材料系完全熔化但该高熔点材料系未熔化或半熔化时，以热喷涂之模式使该粉末冲击至一基板。如申请专利范围第13项之用于制造该岛状突起修饰元件之方法，其中在热喷涂至已在该基板上面形成岛状突起部份之后进一步加热该基板。一种薄膜形成装置，其中申请专利范围第9或10项之元件系用于可经由物理气相沈积(PVD)或化学气相沈积(CVD)接收一在其上面所形成之薄膜状沉淀之元件。一种电浆蚀刻装置，其中申请专利范围第9或10项之元件系用于该元件，一薄膜可淀积在该元件上或经由电浆蚀刻法蚀刻。一种电浆清洗涤装置，其中申请专利范围第9或10项之元件系用于该元件，一薄膜可淀积在该元件上或经由后面喷镀法蚀刻。 |
