| 主权项 |
一种发光二极体，其具有透明基材及由化合物半导体制成的发光层，其中彼上面形成第一电极及极性与该第一电极不同的第二电极之出光面(light-extracting surface)的面积(A)、接近该出光面形成之发光层的面积(B)及落在该第一电极和该第二电极形成侧的相反侧上之发光二极体背面的面积(C)的关系满足式A>C>B的关系。如申请专利范围第1项之发光二极体，其中该发光层具有式(AlXGa1-X)YIn1-YP的组成；其中0@sIMGCHAR!d10020.TIF@eIMG!X@sIMGCHAR!d10021.TIF@eIMG!1，0<Y@sIMGCHAR!d10022.TIF@eIMG!1，而且该透明基材具有100W/m．k或更大的热传导系数。如申请专利范围第1或2项之发光二极体，其中该透明基材具有包含接近该发光层的第一侧面及接近该透明基材背面的第二侧面，及其中该第一侧面具有小于该第二侧面的倾斜角之倾斜角。如申请专利范围第3项之发光二极体，其中该第一侧面系垂直的且该第二侧面系歪斜的。一种发光二极体，其包含装备发光部分的化合物半导体层，该发光部分含具有式(AlXGa1-X)YIn1-YP的组成之发光层；其中0@sIMGCHAR!d10023.TIF@eIMG!X@sIMGCHAR!d10024.TIF@eIMG!1及0<Y@sIMGCHAR!d10025.TIF@eIMG!1、具有接到彼的化合物半导体层之透明基材，及上面形成第一电极和极性与该第一电极不同的第二电极之主要出光面，其中该第二电极系形成在暴露于该第一电极相反侧的化合物半导体层上的角落位置且该透明基材具有一侧面，该侧面包含大致垂直于该发光层临近侧上之发光层发光表面的第一侧面及向该发光层远离侧上之发光表面倾斜的第二侧面。如申请专利范围第3项之发光二极体，其中该第二侧面的倾斜角系10度或更大及30度或更小。如申请专利范围第3项之发光二极体，其中该第二侧面的倾斜角系10度或更大及20度或更小。如申请专利范围第5项之发光二极体，其中该第二侧面与平行该发光表面的表面之间形成介于55度至80度的角度。如申请专利范围第3项之发光二极体，其中该第一侧面具有50μm或更大及100μm或更小的长度且该第二侧面具有100μm或更大及250μm或更小的长度。如申请专利范围第5项之发光二极体，其中该第一侧面具有介于30μm至100μm的长度。如申请专利范围第1或5项之发光二极体，其中该透明基材系由磷化镓(GaP)制成。如申请专利范围第5项之发光二极体，其中该透明基材实质上为n-型GaP单晶且具有(100)或(111)的表面取向。如申请专利范围第5项之发光二极体，其中该透明基材具有介于50μm至300μm的厚度。如申请专利范围第5项之发光二极体，其中该透明基材系由碳化矽(SiC)制成。如申请专利范围第1项之发光二极体，其中该透明基材具有能散光的粗糙表面之背面。如申请专利范围第1项之发光二极体，其中该透明基材具有彼上面形成金属膜的背面。如申请专利范围第16项之发光二极体，其中该透明基材背面上的金属膜含具有400℃或更低的熔点之金属。如申请专利范围第16项之发光二极体，其中该金属膜系由AuSn合金制成。如申请专利范围第1项之发光二极体，其中该发光二极体系配合1.5 W或更大的电力使用且其背面面积系0.6 mm2或更大。如申请专利范围第15项之发光二极体，其中该透明基材系GaP基材，其背面利用氢氯酸处理该GaP基材而得到。如申请专利范围第3项之发光二极体，其中该透明基材的第一及第二侧面系藉由切割法(dicing method)形成者。如申请专利范围第5项之发光二极体，其中该第二电极系位在该第二侧面的倾斜结构上方。如申请专利范围第5项之发光二极体，其中该第一电极具有晶格的形状。如申请专利范围第5项之发光二极体，其中该第一电极包含衰减电极(pad electrode)及具有10μm或更小的宽度之线性电极。如申请专利范围第5项之发光二极体，其中该发光部分含有GaP层且该第二电极系形成于该GaP层上。如申请专利范围第5项之发光二极体，其中该第一电极具有n-型极性且该第二电极具有p-型极性。如申请专利范围第5项之发光二极体，其中该透明基材之倾斜的第二面具有粗糙度。一种发光二极体之制法，其包含下列步骤：形成含具有式(AlXGa1-X)YIn1-YP的组成之发光层的发光部分；其中0@sIMGCHAR!d10026.TIF@eIMG!X@sIMGCHAR!d10027.TIF@eIMG!1及0<Y@sIMGCHAR!d10028.TIF@eIMG!1；后继地使含有发光部分的化合物半导体层被接到透明基材；使附接于该透明基材相反侧上之主要发光表面的第一电极和极性与该第一电极不同的第二电极被形成在该化合物半导体层暴露部分上的角落位置使得该第二电极可配置在该第一电极的相反侧；及藉由切割法令该透明基材的侧面形成大致垂直于该发光层临近侧上之发光层发光表面的第一侧面及向该发光层远离侧上之发光表面倾斜的第二侧面。如申请专利范围第28项之发光二极体之制法，其中该第一侧面系经由划线折断法形成。如申请专利范围第28项之发光二极体之制法，其中该第一侧面系经由切割法形成。 |
