| 主权项 |
一种线状元件，其特征在于：于长方向上连续或间隔性地形成有包含形成半导体电路的复数区域之剖面，且形成上述半导体电路的半导体区域是藉由有机半导体材料形成，其中于该线状元件之剖面中形成有闸极电极区域、绝缘区域、源极与汲极区域、半导体区域，且该线状元件之中心具有该闸极电极区域，而该中心外侧依序形成有该绝缘区域、该源极与汲极区域、该半导体区域，且该线状元件是一体成型而成的线状元件。如申请专利范围第1项所述之线状元件，其中上述复数区域是藉由高分子材料形成。如申请专利范围第2项所述之线状元件，其中具有形成上述半导体电路之复数个区域之剖面，是由通过形成有对应于上述复数个区域的孔洞的模具之已溶解、熔融或胶质化的材料押出成线状的所需之形状而一体成型的结构。如申请专利范围第2项所述之线状元件，其中于剖面中形成至少具有pn接合或pin接合之区域。一种线状元件，其特征在于：于长方向上连续或间隔性地形成有包含形成半导体电路的复数区域之剖面，且形成上述半导体电路的半导体区域是藉由有机半导体材料形成，其中于该线状元件之剖面中形成有闸极电极区域、绝缘区域、源极与汲极区域、半导体区域，其中于该线状元件之中心具有上述绝缘区域，于其外侧具有上述半导体区域，于上述半导体区域中形成有部份暴露于外的上述源极与上述汲极区域，于其外侧形成有上述绝缘区域与上述闸极电极区域。一种线状元件之制造方法，其特征在于：将形成电路元件之区域之材料溶解、熔融或胶质化，且通过形成有对应各区域的孔洞的模具，押出该材料成线状，并形成所需之形状。如申请专利范围第6项所述之线状元件之制造方法，其中上述线状元件系由在以押出加工一部分或全部之后，进行延伸加工所形成。如申请专利范围第6项所述之线状元件之制造方法，其中上述线状元件系由在押出加工后，进行拉伸加工所形成。 |
