| 主权项 |
一种无铬(Cr－less)相位移光罩的制造方法，包括：提供一光罩基板；依序形成一铬层、一蚀刻对应层以及一光阻层于该光罩基板上；以微影步骤将该光阻层图案化成一特定的光阻图案；以蚀刻步骤将该特定光阻图案转移至该蚀刻对应层与该铬层，且显露出该光罩基板的表面；于移除该特定的光阻图案后，同时蚀刻该蚀刻对应层与露出的该光罩基板的表面，当该蚀刻对应层蚀刻完全时，则该光罩基板即蚀刻至所欲的深度；以及移除图案化的该铬层。如申请专利范围第1项所述之无铬(Cr－less)相位移光罩的制造方法，其中该光罩基板包括一石英基板。如申请专利范围第1项所述之无铬(Cr－less)相位移光罩的制造方法，其中该蚀刻对应层包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、矽酸盐、类石英材料或上述材料的组合。如申请专利范围第1项所述之无铬(Cr－less)相位移光罩的制造方法，其中该所欲蚀刻的该光罩基板的深度范围约为0~4000埃(@sIMGCHAR!d10025.TIF@eIMG!)。如申请专利范围第1项所述之无铬(Cr－less)相位移光罩的制造方法，其中该蚀刻对应层与该光罩基板的蚀刻选择比的范围约为50：1~1：50。一种无铬(Cr－less)相位移光罩的制造方法，包括：提供一光罩基板；依序形成一铬层以及一光阻层于该光罩基板上；以微影步骤将该光阻层图案化，成一特定的光阻图案；以蚀刻步骤将该特定光阻图案转移至该铬层，且显露出该光罩基板的表面；于移除该特定的光阻图案后，形成一局部的蚀刻对应层于该铬层上；同时蚀刻该局部的蚀刻对应层与露出的该光罩基板的表面，当该蚀刻对应层蚀刻完全时，则该光罩基板即蚀刻至所欲的深度；以及移除图案化的该铬层；其中该蚀刻对应层的厚度与所欲蚀刻的该光罩基板的深度比值等于该蚀刻对应层与该光罩基板的蚀刻选择比。如申请专利范围第6项所述之无铬(Cr－less)相位移光罩的制造方法，其中该光罩基板包括一石英基板。如申请专利范围第6项所述之无铬(Cr－less)相位移光罩的制造方法，其中该蚀刻对应层包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、矽酸盐、类石英材料或上述材料的组合。如申请专利范围第6项所述之无铬(Cr－less)相位移光罩的制造方法，其中该所欲蚀刻的该光罩基板的深度范围约为0~4000埃(@sIMGCHAR!d10026.TIF@eIMG!)。如申请专利范围第6项所述之无铬(Cr－less)相位移光罩的制造方法，其中该蚀刻对应层与该光罩基板的蚀刻选择比的范围约为50：1~1：50。 |
