| 主权项 |
一种半导体装置，其特征在于具备：(a)半导体晶片，其于其主面形成复数以铝(Al)作为主成分之金属膜之露出区域之第1电极垫；(b)配线基板，其搭载前述半导体晶片，于其主面形成复数第2电极垫；及(c)导电性线，其系连接前述第1电极垫与前述第2电极垫之以金(Au)为主成分之配线性线，其具有形成于前述第1电极垫上之球部、形成于前述第2电极垫上之接着部及连接前述球部与前述接着部之线部，前述球部藉由Al与Au之合金层与前述第1电极垫接合；(d)于前述导电性线中含有钯(Pd)；(e)前述球部之最大外形之直径为小于55 μm。如申请专利范围第1项之半导体装置，其中前述球部之最大外形之直径为40 μm以下。一种半导体装置，其特征在于具备：(a)半导体晶片，其于其主面形成复数以铝(Al)作为主成分之金属膜之露出区域之第1电极垫；(b)配线基板，其搭载前述半导体晶片，于其主面形成复数第2电极垫；及(c)导电性线，其系连接前述第1电极垫与前述第2电极垫之以金(Au)为主成分之配线性线，其具有形成于前述第1电极垫上之球部、形成于前述第2电极垫上之接着部及连接前述球部与前述接着部之线部，前述球部藉由Al与Au之合金层与前述第1电极垫接合；(d)于前述导电性线中含有钯(Pd)；(e)前述线部之直径为小于25 μm。如申请专利范围第3项之半导体装置，其中前述线部之直径为20 μm以下。如申请专利范围第1至4项中任一项之半导体装置，其中前述金属膜之膜厚为1000 nm以上。如申请专利范围第1至4项中任一项之半导体装置，其中前述金属膜之膜厚为400 nm以下。一种半导体装置，其特征在于具备：(a)半导体晶片，其于其主面形成复数以铝(Al)作为主成分之金属膜之露出区域之第1电极垫；(b)配线基板，其搭载前述半导体晶片，于其主面形成复数第2电极垫；及(c)导电性线，其系连接前述第1电极垫与前述第2电极垫之以金(Au)为主成分之配线性线，其具有形成于前述第1电极垫上之球部、形成于前述第2电极垫上之接着部及连接前述球部与前述接着部之线部，前述球部藉由Al与Au之合金层与前述第1电极垫接合；(d)于前述导电性线中含有钯(Pd)；(e)前述金属膜之膜厚为1000 nm以上。一种半导体装置，其特征在于具备：(a)半导体晶片，其于其主面形成复数以铝(Al)作为主成分之金属膜之露出区域之第1电极垫；(b)配线基板，其搭载前述半导体晶片，于其主面形成复数第2电极垫；及(c)导电性线，其系连接前述第1电极垫与前述第2电极垫之以金(Au)为主成分之配线性线，其具有形成于前述第1电极垫上之球部、形成于前述第2电极垫上之接着部及连接前述球部与前述接着部之线部，前述球部藉由Al与Au之合金层与前述第1电极垫接合；(d)于前述导电性线中含有钯(Pd)；(e)前述金属膜之膜厚为400 nm以下。如申请专利范围第1、3、7、8项中任一项之半导体装置，其中前述配线基板系由玻璃环氧树脂构成。如申请专利范围第1、3、7、8项中任一项之半导体装置，其中前述配线基板系由玻璃环氧树脂构成，前述半导体晶片及导电性线系以铸模树脂密封。如申请专利范围第1、3、7、8项中任一项之半导体装置，其中前述配线基板系由带状树脂构成。如申请专利范围第1、3、7、8项中任一项之半导体装置，其中(d)前述导电性线中之前述钯(Pd)之浓度为1 wt%左右。一种半导体装置之制造方法，其特征在于具有：(a)准备于其主面形成复数第2电极垫之配线基板之步骤；(b)将于其主面形成复数以铝(Al)作为主成分之金属膜之露出区域之第1电极垫之半导体晶片搭载于前述配线基板上之步骤；(c)用以金(Au)为主成分之配线性线连接前述第1电极垫与前述第2电极垫之步骤；(c1)于前述第1电极垫上熔融前述配线性线之一端，将熔融球接着于前述第1电极垫上；(c2)藉由将前述配线性线之另一端接着于前述第2电极垫上；(c3)具有形成于前述第1电极垫上之球部、形成于前述第2电极垫上之接着部及连接前述球部与前述接着部之线部，前述球部藉由Al与Au之合金层形成与前述第1电极垫接合之导电性线之步骤；(d)于前述导电性线中含有钯(Pd)；(e)前述(c1)步骤，系于前述半导体晶片之主表面为200℃以下之状态进行者。如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法，其中前述配线基板系由玻璃环氧树脂构成。如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法，其中具有(f)前述半导体晶片及前述导电性线以铸模树脂密封之步骤。如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法，其中前述配线基板系由带状树脂构成。如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法，其中前述第1电极垫之中心部间之距离为50 μm以下。如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法，其中前述第1电极垫之中心部间之距离为小于65 μm。如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法，其中前述球部之最大外形之直径为小于55 μm。如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法，其中前述球部之最大外形之直径为40 μm以下。如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法，其中前述线部之直径为25 μm以下。如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法，其中前述线部之直径为20 μm以下。如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法，其中前述金属膜之膜厚为1000 nm以上。如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法，其中前述金属膜之膜厚为400 nm以下。如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法，其中前述配线性线中之前述钯(Pd)之浓度为1 wt%左右。 |
