| 发明名称 |
双金属镶嵌制程方法 |
| 摘要 |
本发明所揭露系为一种双金属镶嵌制程，其方法包含了提供一个于其上已具有介层窗(vias)的一基材(substrate)；形成一底层(under-layer)于介层窗和该基材之上；对该底层施以一溶剂洗涤制程；形成一含矽层(silicon-contained layer，SCL)至该底层上；图案化(patterning)该含矽层以形成含矽层开口，以藉由该含矽层开口曝露该底层；以及，透过该含矽层开口，蚀刻该基材与该底层以形成复数个沟渠(trench)。 |
| 申请公布号 |
TWI358789 |
申请公布日期 |
2012.02.21 |
| 申请号 |
TW096130011 |
申请日期 |
2007.08.14 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
张庆裕;施仁杰 |
| 分类号 |
H01L21/768;H01L21/311 |
主分类号 |
H01L21/768 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
