| 摘要 |
本创作系关于一种制备铁电记忆体元件系统，主要系利用溅镀机构在基板表面镀设一铁电薄膜，再藉由超临界流体机构处理铁电薄膜表面，最后利用蒸镀机构在铁电薄膜表面镀设一顶部电极，而得到一铁电记忆体元件。由于本创作利用超临界流体来清洗铁电薄膜表面，不仅可以增加铁电薄膜的残余极化量，亦可改善其漏电流现象，更可增加铁电记忆体元件的储存容量。而且超临界流体的温度以超临界流体二氧化碳为例，其温度约为31℃，与传统退火炉相比超临界流体的温度较低，因此在处理各种不同材质所制成的铁电薄膜时，较不易因温度较高使得铁电薄膜之材质特性受到影响，而降低铁电记忆体元件的品质。 |
