| 摘要 |
Le procédé de génération d'une tension de référence ajustable de bande interdite comprend une génération d'un courant proportionnel à la température absolue (Iptat) comportant une égalisation des tensions aux bornes (BE1, BE2) d'un cœur (CR) agencé pour être alors parcouru par ledit courant proportionnel à la température absolue, une génération d'un courant inversement proportionnel à la température absolue (Ictat), une sommation de ces deux courants et une génération de ladite tension de référence de bande interdite (VBG) à partir de ladite somme de courants ; ladite égalisation comprend une connexion aux bornes du cœur (CR) d'un premier amplificateur (AMP1) contre-réactionné possédant au moins un premier étage (ET1) agencé en montage replié et comportant des premiers transistors PMOS agencés selon un montage grille commune, et une polarisation dudit premier étage à partir dudit courant inversement proportionnel à la température absolue (Ictat), ladite sommation des deux courants s'effectuant dans l'étage de contre-réaction (ETR) du premier amplificateur. |
