主权项 |
一种太阳能电池背板结构,用以保护太阳能电池,该太阳能电池背板结构包括:一底胶层;至少一第一绝缘层,系形成于该底胶层上;一导体防水层,系形成于该第一绝缘层上;至少一一第二绝缘层,系形成于该导体防水层上;以及一耐候层,系形成于该第二绝缘层上。依据申请专利范围第1项所述之太阳能电池背板结构,其中该底胶层为具有乙烯醋酸乙烯酯树脂(Ethylene-vinyl acetate;EVA)之结构或易与EVA接着之结构。依据申请专利范围第2项所述之背板结构,其中该底胶层含有2~33%乙烯酸(Vinyl acetate;VA)。依据申请专利范围第2项所述之太阳能电池背板结构,其中该底胶层之厚度为0.1~500um。依据申请专利范围第4项所述之太阳能电池背板结构,其中该底胶层常用之厚度为25~200um。依据申请专利范围第1项所述之太阳能电池背板结构,其中该底胶层为聚乙烯对苯二甲酸酯(Polyethylene Terephthalate;PET)基材之底胶以及压克力基材(Acrylic base)之底胶的其中之一。依据申请专利范围第6项所述之太阳能电池背板结构,其中该底胶层之厚度为0.01~50um。依据申请专利范围第7项所述之太阳能电池背板结构,其中该底胶层常用之厚度为1~15um。依据申请专利范围第1项所述之太阳能电池背板结构,其中该至少一第一绝缘层为聚乙烯对苯二甲酸酯(Polyethylene Terephthalate;PET)以及介电电压(Dielectric voltage)不小于1KV/mm之绝缘层的其中之一。依据申请专利范围第9项所述之太阳能电池背板结构,其中该至少一第一绝缘层之厚度为1~500um。依据申请专利范围第10项所述之太阳能电池背板结构,其中该至少一第一绝缘层常用之厚度为25~330um。依据申请专利范围第1项所述之太阳能电池背板结构,其中该导体防水层为铝、其他具有防水能力之导体金属以及其他具有防水能力之合金的其中之一。依据申请专利范围第12项所述之太阳能电池背板结构,其中该导体防水层之厚度为0.1~200um。依据申请专利范围第13项所述之太阳能电池背板结构,其中该导体防水层常用之厚度为5~50um。依据申请专利范围第1项所述之太阳能电池背板结构,其中该至少一第二绝缘层为聚乙烯对苯二甲酸酯(Polyethylene Terephthalate;PET)以及介电电压(Dielectric voltage)不小于1KV/mm之绝缘层的其中之一。依据申请专利范围第15项所述之太阳能电池背板结构,其中该至少一第二绝缘层之厚度为1~500um。依据申请专利范围第16项所述之背板结构,其中该至少一第二绝缘层常用之厚度为25~330um。依据申请专利范围第1项所述之太阳能电池背板结构,其中该至少一第二绝缘层为包括聚氟乙烯(Polyvinyl Fluoride;PVF)、乙烯和四氟乙烯共聚物(Ethylene-tetrafluoroethylene;ETFE)、聚二氯乙烯(Polyvinylidene fluoride;PVDF)、三氟氯乙烯(Chlorotrifluoroethylene;CTFE)以及含氟之乙烯聚合物的其中之一。依据申请专利范围第18项所述之太阳能电池背板结构,其中该至少一第二绝缘层之厚度为1~500um。依据申请专利范围第19项所述之背板结构,其中该至少一第二绝缘层常用之厚度为25~330um。依据申请专利范围第1项所述之太阳能电池背板结构,其中该耐候层包括聚氟乙烯(Polyvinyl Fluoride;PVF)、乙烯和四氟乙烯共聚物(Ethylene-tetrafluoroethylene;ETFE)、聚二氯乙烯(Polyvinylidene fluoride;PVDF)、三氟氯乙烯(Chlorotrifluoroethylene;CTFE)、具有抗UV涂层之聚酯以及含氟之乙烯聚合物的其中之一。依据申请专利范围第21项所述之太阳能电池背板结构,其中该耐候层之厚度为1~500um。依据申请专利范围第22项所述之背板结构,其中该耐候层常用之厚度为5~38um。依据申请专利范围第1项所述之背板结构,其中该耐厚层与该至少一第二绝缘层间使用胶贴合。依据申请专利范围第1项所述之背板结构,其中该至少一第二绝缘层与该导体防水层间使用胶贴合。依据申请专利范围第1项所述之背板结构,其中该导体防水层与该至少一第一绝缘层间使用胶贴合。依据申请专利范围第2项所述之背板结构,其中该底胶层与该至少一第一绝缘层间使用胶贴合。 |