具有高侧向出光量的发光二极体制造方法

摘要

本发明提供一种具有高侧向出光量的发光二极体制造方法，首先自基材磊晶形成磊晶膜，接着于磊晶膜上形成保护膜，然后自保护膜向下切割磊晶膜至深度到达基材的顶、底面之间，接着蚀刻粗化裸露的外周面，然后移除保护膜而制得多数磊晶块，接着于每一磊晶块上设置二电极，最后施加应力使基材沿切割处分裂，制得多数具有高侧向出光量的发光二极体，本发明开发出一种新的且可在制作过程中粗化磊晶膜侧周面的制造方法，使得所制得的发光二极体因侧周面被粗化而增加侧向出光的机率，有效提升发光二极体总出光量俾提升整体亮度。