发明名称 半导体装置及制造半导体装置的方法
摘要 一种包含一闸流体之半导体装置,在该闸流体中依序地配置第一导电型之一第一区域、具有导电型与第一导电型相反的第二导电型之一第二区域、第一导电型之一第三区域、及第二导电型之一第四区域以形成接面。该第三区域形成在藉由一元件绝缘区域分隔之一半导体基材上。在该第三区域上提供藉由一闸绝缘薄膜形成之一闸电极及形成于该闸电极之二侧的壁侧上之侧壁,且形成该第四区域,使得其一端覆盖在该第三区域的另一端及该等元件绝缘区域之间的接合部分,并使得该第四区域之另一端与另一侧上的该侧壁接合。
申请公布号 TWI390725 申请公布日期 2013.03.21
申请号 TW097149489 申请日期 2008.12.18
申请人 新力股份有限公司 日本 发明人 生田哲也
分类号 H01L29/73;H01L21/332 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本