发明名称 团簇喷射式加工方法、半导体元件、微机电元件及光学零件
摘要 本发明系以提供一种使用电气上中性的反应性团簇的试料之加工方法作为课题。在解决手段上,系将反应性气体、及沸点比反应性气体更低之气体所形成的混合气体,以未液化范围之压力朝预定方向一面进行断热膨胀一面喷出,而产生反应性团簇,将上述反应性团簇喷射到真空处理室内的试料而加工试料表面。
申请公布号 TWI406329 申请公布日期 2013.08.21
申请号 TW098127527 申请日期 2009.08.17
申请人 岩谷产业股份有限公司 日本;国立大学法人京都大学 日本 发明人 小池国彦;妹尾武彦;吉野裕;东周平;松尾二郎;濑木利夫;二宫启
分类号 H01L21/302 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项
地址 日本