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发明名称
用于沟槽与介层洞轮廓修饰之方法
摘要
本发明之实施例大致系关于处理半导体基材之设备与方法。明确地说,本发明之实施例系关于在填充沟槽与介层洞之前用于沟槽与介层洞轮廓之修饰的方法与设备。本发明之一实施例包括藉由让沟槽结构接触蚀刻剂以形成牺牲层来封闭沟槽结构之顶部开口。一实施例中,蚀刻剂系设以与第一材料反应并产生形成牺牲层之副产物而移除第一材料。
申请公布号
TWI413179
申请公布日期
2013.10.21
申请号
TW098139358
申请日期
2009.11.19
申请人
应用材料股份有限公司 美国
发明人
张镁;高建德;吕新亮;葛正彬
分类号
H01L21/3065
主分类号
H01L21/3065
代理机构
代理人
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址
美国
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