发明名称 |
二极体 |
摘要 |
一种二极体包括:一基板;一第一介电材料,包括露出该基板之一部之至少一开口;一底二极体材料,包括至少部份地设置于该开口内之一下方区以及延伸至该开口之上之一上方区,该底二极体材料包括晶格不匹配于该基板之一化合物半导体材料;一主动二极体区,邻近于该底二极体材料;以及一顶二极体材料,邻近该主动二极体区。 |
申请公布号 |
TWI413262 |
申请公布日期 |
2013.10.21 |
申请号 |
TW099122641 |
申请日期 |
2010.07.09 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
罗特费尔德 安东尼J |
分类号 |
H01L29/868;H01L29/26;H01L33/12;H01L31/0328;H01L31/075 |
主分类号 |
H01L29/868 |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |