| 摘要 |
<p>In einem Verfahren, bei welchem eine Schicht einschließlich Nickel und Titan auf einem SiC-Substrat (1) zur Bildung einer Nickel-Silicid-Schicht (4) einschließlich Titancarbid erwärmt wird, wird die Nickel und Titan einschließende Schicht durch Aufdampfen im Vakuum oder Zerstäuben gebildet. Die Nickel-Silicid-Schicht (4) wird bei einer Temperatur, die gleich oder höher als 1100°C und gleich oder geringer als 1350°C ist, zur Erzeugung der Nickel und Titan einschließenden Schicht erwärmt. Zu diesem Zeitpunkt ist die Temperaturanstiegsrate gleich oder größer als 10°C/Minute und gleich oder geringer als 1350°C/Minute und eine Erwärmungsdauer ist gleich oder größer als 0 Minuten und gleich oder geringer als 120 Minuten. Diese Erwärmungsbedingungen ermöglichen den Erhalt einer homogenen rückwärtigen Oberflächenelektrode (8) für eine SiC-Halbleitervorrichtung, die einen ausreichend geringen rückwärtigen Oberflächen-Kontaktwiderstand aufweist.</p> |
