发明名称 スパッタリングターゲット、酸化物半導体膜及び半導体デバイス
摘要 <p>A sputtering target including an oxide sintered body, the oxide sintered body containing indium (In) and at least one element selected from gadolinium (Gd), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er) and ytterbium (Yb), and the oxide sintered body substantially being of a bixbyite structure.</p>
申请公布号 JP5775900(B2) 申请公布日期 2015.09.09
申请号 JP20130080129 申请日期 2013.04.08
申请人 发明人
分类号 H01L29/786;C23C14/34;H01L21/20;H01L21/336;H01L21/363 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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