液相外延生长方式

摘要

本发明，系有关适合将利用于发光元件或激光装置等的ＧａＰ，ＧａＡｓ或ＧａＡ__Ａｓ等之ＩＩＩ－V族化合物半导体单结晶予以液相外延生长（Liquid PhaseEpitaxitial Growth，以后简称为ＬＰＥ法）之ＬＰＥ法。

主权项

一种液相外延生长方式,其特征为,将配置在由相对向配置的导电性材料所成之基片架3与上部溶液储存部2之间的液相外延生长用基片10以密闭状态从室温加热到900℃-1100℃的高温之后,将由Ⅲ─Ⅴ族化合物半导体6及掺杂剂7所成的溶液注入所定量而在前述液相外延生长用基片形成所定之被膜者。图示简单说明第1图为实施本发明方式的制造装置之主要部份剖面图;第2图a、b、c、d为将所得的LPE被膜之显微镜照片画成模式性的剖面图;第3图a、b为显示先前的制造装置之概略的剖面图;第4图为显示此装置的构成之图。