| 发明名称 | 具有PMOS-NMOS-PMOS-NMOS结构的4晶体管非易失性存储器单元 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器（NVM）单元结构，其包括PMOS编程晶体管、NMOS控制晶体管、PMOS擦除晶体管和NMOS读晶体管，其中，PMOS编程晶体管具有源区电极、漏区电极和体区电极以及连接到数据存储节点的栅极；NMOS控制晶体管具有公共连接以接收控制电压的源区电极、漏区电极和体区电极以及连接到数据存储节点的栅极；PMOS擦除晶体管具有公共连接以接收擦除电压的源区电极、漏区电极和体区电极以及连接到数据存储节点的栅极；以及NMOS读晶体管具有源区电极、漏区电极和体区电极以及连接到数据存储节点的栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN102939653B | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201180017010.0 | 申请日期 | 2011.02.25 |
| 申请人 | 美国国家半导体公司 | 发明人 | P·珀普立文;E·胡;H·林（詹姆斯）;A·J·富兰克林 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器即NVM单元结构，其包括：PMOS编程晶体管，其具有源区电极、漏区电极和体区电极，以及连接到数据存储节点的栅极；NMOS控制晶体管，其具有公共连接以接收控制电压的源区电极、漏区电极和体区电极，以及连接到所述数据存储节点的栅极；PMOS擦除晶体管，其具有公共连接以接收擦除电压的源区电极、漏区电极和体区电极，以及连接到所述数据存储节点的栅极；以及NMOS读晶体管，其具有源区电极、漏区电极和体区电极，以及连接到所述数据存储节点的栅极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||