钴锰气相沉积;COBALT MANGANESE VAPOR PHASE DEPOSITION

摘要

本发明描述半导体元件以及形成具有阻障层的半导体元件的方法，其中该阻障层包含钴与锰氮化物。本发明亦描述半导体元件以及形成具有阻障层和可选的黏附层的半导体元件的方法，其中该阻障层包含CoMn(N)。