光伏发电元件及其制造方法

摘要

在作为半导体基板的n型单晶硅基板1的与光入射面相反一侧的面，在第1导电类型非晶质半导体膜(n型非晶硅层5)上具备载流子浓度低的第1导电性半导体膜(第1氧化铟层9)，在其上具备载流子浓度高的第2导电性半导体膜(第2氧化铟层10)，在载流子浓度低的第1导电性半导体膜中具备绝缘性微粒8。由此，即使使光发生散射而延长光程长度，也不引起导电性半导体膜中的吸收且没有损失，能够同时实现红外吸收的抑制和由有效的散射带来的光程长度的增大，不导致电气特性的劣化，在100μm以下的薄型半导体基板的情况下，也能够得到高的变换效率。

主权项

一种异质结型的光伏发电元件，具有：第1导电类型的晶体系半导体基板，具有第1主面与第2主面，光从所述第1主面入射；以及第2导电类型半导体薄膜，具有与所述晶体系半导体基板不同的导电类型，以使得在所述晶体系半导体基板的所述第1或者第2主面形成pn结，并且在所述晶体系半导体基板的所述第2主面上依次层叠有第1导电类型半导体薄膜、第1导电性半导体膜、第2导电性半导体膜，所述光伏发电元件的特征在于，在所述第1导电性半导体膜中含有具有与所述1导电性半导体膜的折射率不同的折射率的绝缘性微粒，第2导电性半导体膜的载流子浓度高于第1导电性半导体膜。