发明名称 一种硅基OLED显示像素的制备方法
摘要 本发明公开了一种硅基OLED显示像素的制备方法,包括像素背板工艺和有机发光层工艺,其中所述像素背板工艺包括:(1)对基片进行金属电极层镀膜;(2)涂光刻胶;(3)曝光;(4)显影;(5)刻蚀;(6)清洗;(7)真空退火;所述有机发光层工艺包括:(8)有机遮罩对位校准;(9)三次有机蒸镀;(10)ITO镀膜;(11)阻隔层镀膜。在每次蒸镀有机发光像素单元前均进行有机遮罩对位校准,避免了不同像素单元间镀膜窜扰,有机遮罩在z方向上与像素电极间留有空隙,防止了对像素电极或对已蒸镀的像素单元造成污染。同时由于制得的有机发光像素单元尺寸和定位精确,三种颜色的混色比优异,使得图像颜色正常、不失真。
申请公布号 CN105161636A 申请公布日期 2015.12.16
申请号 CN201510464114.6 申请日期 2015.07.31
申请人 深圳市星火辉煌系统工程有限公司 发明人 李海萍
分类号 H01L51/56(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I 主分类号 H01L51/56(2006.01)I
代理机构 深圳市精英专利事务所 44242 代理人 任哲夫
主权项 一种硅基OLED显示像素的制备方法,其特征在于,包括像素背板工艺和有机发光层工艺,其中所述像素背板工艺包括:(1)对基片进行金属电极层镀膜,所述镀膜为在金属电极上依次制作Ti/Al/Pt三层金属堆叠电极,得到金属电极层;(2)涂光刻胶,在所述金属电极层上涂覆光刻胶;(3)曝光,将步骤(2)中涂覆有光刻胶的基片在曝光机上曝光;(4)显影,将步骤(3)中曝光后的基片低转速下旋转喷洒显影液,然后纯水冲洗,并在高转速下甩干;(5)刻蚀,除去无光刻胶覆盖部分的金属电极层;(6)清洗,首先将步骤(5)中经过刻蚀的半成品采用N‑甲基吡咯烷酮液体浸泡,然后用去离子水浸泡清洗,清洗后高速甩干,再烘干;(7)真空退火,将步骤(6)中清洗烘干后的半成品在真空热板上放置,即得到具有精细像素电极的硅基背板半成品;所述有机发光层工艺包括:(8)有机遮罩对位校准,将步骤(7)中得到的具有精细像素电极的硅基背板半成品在有机镀膜机台上在xy方向上与刻蚀图样进行CCD图像对位重合;(9)三次有机蒸镀,分别在所述像素电极上蒸镀红、绿、蓝三色有机发光像素单元;(10)ITO镀膜,在步骤(9)得到的有机发光像素表面镀ITO膜;(11)阻隔层镀膜,在步骤(10)中得到ITO膜的上表面制作厚度Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>阻隔层,即得到具有红、绿、蓝三基色有机发光像素单元的背板结构。
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