氮化镓基低漏电流悬臂梁场效应晶体管倒相器及制备方法

摘要

本发明是一种氮化镓基低漏电流悬臂梁场效应晶体管倒相器及制备方法，该倒相器由悬臂梁N型MESFET和悬臂梁P型MESFET构成。该倒相器的MESFET的制作在半绝缘GaN衬底上，其栅极上方设计了悬臂梁结构。悬臂梁下方设计了电极板。悬臂梁的下拉电压设计为等于型MESFET的阈值电压的绝对值。当在悬臂梁与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，悬臂梁是悬浮在栅极的上方，此时栅极处是断路的，MESFET工作在截止状态，而只有在悬臂梁与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，悬臂梁才会被下拉到贴在栅极上，栅极与悬臂梁短接，从而使MESFET工作在导通状态。本发明在工作中增大了栅极的阻抗，减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗。

主权项

一种氮化镓基低漏电流悬臂梁场效应晶体管倒相器，其特征是该倒相器由悬臂梁N型MESFET（1）和悬臂梁P型MESFET（2）构成，该倒相器中的MESFET基于半绝缘GaN衬底（3），其输入引线（4）利用金制作，悬臂梁N型MESFET（1）的源极(12)接地，悬臂梁P型MESFET（2）的源极(13)接电源，悬臂梁N型MESFET的漏极(15)与悬臂梁P型MESFET的漏极(16)短接；悬臂梁N型MESFET（1）和悬臂梁P型MESFET（2）的栅极（5）与有源层形成肖特基接触，在两个栅极（5）上方分别设计了两个悬臂梁（6），两个MESFET的悬臂梁（6）短接，每个悬臂梁（6）的锚区（7）制作在半绝缘GaN衬底（3）上，在每个悬臂梁（6）下方设计了两个电极板（8），电极板（8）的上方覆盖有氮化硅层（9），每个MESFET的电极板（8）与该MESFET的源极短接。