发明名称 自去能之送电侦测电路
摘要 一CMOS升电源功率重置电路提供一升电源功率之输出信号,当一所施加之电源供应电压系超出第一预定值之时,系有用于外部电路,其并包含一成比率之电晶体分压器,以产生一电压于一感应节点上,该电压系为于一升电源功率暂态之电源供应电压之一部份。当该上升之电源供应电压与该感测节点电压之差系大于一第二预定值,例如一P型通道临界电压之时,该电路会再次地栓锁。一回授信号系随后去能该经由该升电源功率重置电路之电流,以虚拟式地消除静态功率消耗,因而,该升电源功率之输出信号系加以产生。电路系加以并入,以经由P型通道电晶体之N位能井,而防止由上升之电源供应电压至临界内部电路节点之电容性交通。该电路提供一送电输出信号其中所施加之电源电压之一第一预定值系藉由调整该两P型通道电晶体之比例而可加以设计。
申请公布号 TW241415 申请公布日期 1995.02.21
申请号 TW083103734 申请日期 1994.04.26
申请人 国家半导体公司 发明人 迈可.约翰.谢依
分类号 H03K5/01 主分类号 H03K5/01
代理机构 代理人 林镒珠 台北巿长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种电路用以提供一输出信号于一输出端,以指示当一操作以连接至该电路之电源供应电压,于一电源供应电压转换时,系超过一第一预定値,该电路系具有一第一电源供应端用以接收该电源供应电压,并且,有一第二电源供应电压端用以接收一接地参考电位,该输出信号具有一第一状态于该转换之第一部份,当该电源供应电压系小于该第一预定値,并且,具有一第二状态于该转换之剩余部份,当该电源供应电压系起过该第一预定値其包含:产生机构连接于该第一及第二电源供应端之间,以用以作动产生一电压于一感应节点,该电压系为该电源供应电压之一部份;侦测机构连接至该产生机构,并且,连接于该第一及第二电源供应端之间,其系反应于该感应节点上之电压,以作动以提供一侦测信号于一侦测节点上,指出当该于节点上之电压系超出一第二预定値,其系相当于该电源供应电压超过该第一预定値;再产生机构连接至该产生机构及该侦测机构,并反应于该侦测信号,用以驱动该感应节点之电压于一方向,以使加强该侦测信号;回授机构连接至该产生机构,该侦测机构及该再产生机构,该回授机构系反应于驱动该感应节点之电压之再产生机构,以用以中断流经每一产生机构、侦测机构及再产生机构之电流,以藉以消除其中所消耗之电源功率;及输出机构连接至该感应节点及该输出端,用以提供该输出信号成该第一状态及用以反应于该再产生机构驱动该感应节点上之电压,而驱动该输出信号成第二状态。2.如申请专利范围第1项所述之电路,其中,该产生机构包含两相同导电性型式串联连接完电晶体,形成该感应节点于其间。3.如申请专利范围第1项所述之电路,其中,该产生机构包含:一第一电晶体,使其源极连接至该第一电源供应端,一闸极连接至该第二电源供应端及一汲极连接至该感应节点,及一第二电晶体,使其源极连接至该感应节点,一闸极连接至该第二电源供应端,以及一汲极连接至该第二电源供应端。4.如申请专利范围第3项所述之电路,其中,该产生机构更包含一第三电晶体,其汲极系连接至该第二电晶体之汲极,一闸极系连接至该第一电源供应端,以一源极系连接至该第二电源供应端。5.如申请专利范围第1项所述之电路,其中,该第一预定値系不同于该第二预定値,该差别系实际等于一电晶体之临界电压之大小。6.如申请专利范围第5项所述之电路,其中,该侦测机构包含:一第四电晶体,其汲极系连接至该侦测节点,一闸极系连接至该感应节点,及一源极系连接至该第一电流供应端;及一负载机构系连接于该侦测节点及该第二电源供应端之间。7.如申请专利范围第6项所述之电路,其中,该负载机构包含一第五电晶体,其汲极系连接至该侦测节点,其闸极系连接至该第一电源供应端,及一源极系连接至该第二电源供应端。8.如申请专利范围第6项所述之电路,其中,该再产生机构包含一第六电晶体,其汲极系连接至该感应节点,一闸极系连接至该侦测节点及一源极系连接至该第二电源供应端。9.如申请专利范围第8项所述之电路,其中,该再产生机构更包含一第七电晶体其系连接该第六电晶体之闸极至该侦测节点,该第七电晶体之汲极系连接至该侦测节点,闸极系连接至该第一电源供应端,以一源极系连接至该第六电晶体之闸极。10.如申请专利范围第1项所述之电路,其中,该回授机构包含:一第一反相器,其输入系连接至该感应节点,及具有一输出;一第一切换机构连接该产生机构至该第一电源供应端,该切换机构系反应于该第一反相器输出;及一第二切换机构连接该侦测机构至该第一电源供应端,该切换机构系反应于该第一反相器输出。11.如申请专利范围第10项所述之电路,其中,该回授机构更包含一栓锁电晶体,其汲极系连接至该第一反相器输入,一闸极连接至该第一反相器输出,以及一源极系连接至该第二电源供应端。12.如申请专利范围第11项所述之电路,其中,该第一反相器包含:一第八电晶体,其汲极系连接至该第一反相器输出,一闸极连接至该第一反相器输入,及一源极连接至该第二电源供应端;及数个串联连接之负载电晶体连接该第一反相器输出至该第一电源供应端。13.如申请专利范围第12项所述之电路,其中,该数串联连接之每一个负载电晶体具有一后侧端,其系可以个别地连接至其他电晶体;及其中该数串联连接之每一负载电晶体系连接至每一负载电晶体之相对源极端。14.如申请专利范围第13项所述之电路,其中,该连接及最接近输出之串联连接之负载电晶体之闸极系连接至该第一反相器输入;及其中,该剩余串联连接负载电晶体之闸极系连接至该第二电源供应端。15.如申请专利范围第14项所述之电路,其中,该输出机构包含一缓冲器,使其输入连接至该第一反相器输出,以及一输出系连接至该输出端。16.如申请专利范围第15项所述之电路,其中,该输出信号之第一状态系一电压实际被驱动以跟随该电源供应电压;及其中,该输出信号之第一状态系一低电压,实际驱动
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