| 发明名称 | 鳍式晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种鳍式晶体管的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成有多个鳍部，所述鳍部顶部表面具有阻挡层；在基底表面形成覆盖所述鳍部的第一覆盖层；平坦化所述第一覆盖层直至暴露出阻挡层；在所述阻挡层和所述第一覆盖层表面、采用沉积工艺形成第二覆盖层；刻蚀所述第二覆盖层和第一覆盖层，形成伪栅。本发明实施例的鳍式晶体管的形成方法良率高。 | ||
| 申请公布号 | CN103311111B | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201210071314.1 | 申请日期 | 2012.03.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 洪中山 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有多个鳍部，所述鳍部顶部表面具有阻挡层；在基底表面形成覆盖所述鳍部的第一覆盖层；平坦化所述第一覆盖层直至暴露出阻挡层；在所述阻挡层和所述第一覆盖层表面、采用沉积工艺形成第二覆盖层，平坦化的第一覆盖层与第二覆盖层一起作为后续形成伪栅的工作平台；刻蚀所述第二覆盖层和第一覆盖层，形成伪栅。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||