发明名称 |
用于TFT平板显示器的超高纯铝板细晶靶材的制备方法 |
摘要 |
用于TFT平板显示器的超高纯铝板细晶靶材的制备方法,通过轧制工艺和退火工艺,控制变形量和温度,细化晶粒,改变挤压产生的纤维状晶粒组织,易于等轴化,使得晶粒尺寸达到200μm甚至100μm以下,且粒度均匀,且该靶材在200℃工作时组织稳定,从而满足了大尺寸TFT平板显示器靶材的应用条件。降低烧结能耗,在提高靶材以及TFT性能的同时,实现靶材及TFT器件成本的降低,适合规模化生产。 |
申请公布号 |
CN105154799A |
申请公布日期 |
2015.12.16 |
申请号 |
CN201510563701.0 |
申请日期 |
2015.09.07 |
申请人 |
基迈克材料科技(苏州)有限公司 |
发明人 |
曹兴民;庄志杰 |
分类号 |
C22F1/04(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I |
主分类号 |
C22F1/04(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
郭春远 |
主权项 |
用于TFT平板显示器的超高纯铝板细晶靶材的制备方法,其特征在于,包含以下步骤:步骤一:选取纯度大于99.999wt%的高纯铝铸锭为原材料,轧制之前对其表面进行简单的处理,保证表面光洁;步骤二:将高纯铝板材放至可逆热轧机中进行轧制处理,轧制前加热温度范围为300℃~450℃,进行8~12道次轧制过程,控制高纯铝板材总变形量为90%以上;步骤三:使用校平机校平板材,保证其平整度;步骤四:在200℃~300℃条件下对校平后的高纯铝板材进行退火处理,退火时间2~4小时;步骤五:通过表面铣削加工后,平均粒度在100~200μm,获得高纯铝板靶材。 |
地址 |
215214 江苏省苏州市吴江市汾湖经济开发区汾杨路东侧 |