导热性硅氧烷组合物及其固化物

摘要

[课题]目的在于，提供赋予即使在高温下放置也不会对IC封装造成应力的固化物的导热性硅氧烷组合物。[解决方案]提供硅氧烷组合物和具备将该组合物固化而得到的固化物的半导体装置，所述硅氧烷组合物是在25℃下具有10~1,000Pa·s的粘度的硅氧烷组合物，其含有：(A)1分子中具有至少2个链烯基且在25℃下具有10~100,000mm²/s的运动粘度的有机聚硅氧烷 100质量份；(B)分子链中具有键合于硅原子的氢原子且用通式(1)表示的有机氢聚硅氧烷(式(1)中，n、m是满足10≤n+m≤100且0.01≤n/(n+m)≤0.3的正整数)；(C)分子链两末端具有键合于硅原子的氢原子且用通式(2)表示的有机氢聚硅氧烷；(D)分子中具有两个键合于硅原子的氢原子和两个以上的R⁴所示基团且用通式(3)表示的有机氢聚硅氧烷(式(3)中，R⁴是借助碳原子或者借助碳原子和氧原子而键合于硅原子且具有选自环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、醚基和三烷氧基甲硅烷基中的基团的基团)；(E)导热性填充材料 400~3,000质量份；(F)铂族金属系催化剂 催化剂量；以及(G)反应控制剂 0.01~1质量份，上述(B)成分、(C)成分和(D)成分的配合量为如下量：[源自(B)成分、(C)成分和(D)成分的Si-H基的总个数]/[源自(A)成分的链烯基的个数]为处于0.6~1.5的范围的值，[源自(C)成分和(D)成分的Si-H基的总个数]/[源自(B)成分的Si-H基的个数]为处于1~10的范围的值，且[源自(C)成分的Si-H基的个数]/[源自(D)成分的Si-H基的个数]为处于1~10的范围的值。

主权项

硅氧烷组合物，其为在25℃下具有10~1,000Pa·s的粘度的硅氧烷组合物，其含有：(A)1分子中具有至少2个链烯基且在25℃下具有10~100,000mm²/s的运动粘度的有机聚硅氧烷       100质量份；(B)下述通式(1)所示的有机氢聚硅氧烷，[化1]式(1)中，n、m是满足10≤n+m≤100且0.01≤n/(n+m)≤0.3的正整数，R¹彼此独立地为碳原子数1~6的烷基；(C)下述通式(2)所示的有机氢聚硅氧烷，[化2]式(2)中，p是处于5~1000的范围的正整数，R²彼此独立地为碳原子数1~6的烷基；(D)下述通式(3)所示的有机氢聚硅氧烷，[化3]式(3)中，k为2~10的正整数，R彼此独立地为氢原子或R⁴，但R所示基团之中的两个是氢原子，所述R⁴是借助碳原子或者借助碳原子和氧原子而键合于硅原子且具有选自环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、醚基和三烷氧基甲硅烷基中的基团的基团，R³彼此独立地为碳原子数1~6的烷基；(E)导热性填充材料    400~3,000质量份；(F)铂族金属系催化剂   催化剂量；以及(G)反应控制剂   0.01~1质量份，所述(B)成分、(C)成分和(D)成分的配合量为如下量：[源自(B)成分、(C)成分和(D)成分的Si‑H基的总个数]/[源自(A)成分的链烯基的个数]是处于0.6~1.5的范围的值，[源自(C)成分和(D)成分的Si‑H基的总个数]/[源自(B)成分的Si‑H基的个数]是处于1~10的范围的值，且[源自(C)成分的Si‑H基的个数]/[源自(D)成分的Si‑H基的个数]是处于1~10的范围的值。