发明名称 |
ETCHING METHOD, ETCHING SOLUTION USED IN SAME, ETCHING SOLUTION KIT, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT |
摘要 |
저마늄(Ge)을 포함하는 제1 층과, 니켈플래티넘(NiPt), 타이타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 코발트(Co)로부터 선택되는 적어도 1종의 특정 금속 원소를 포함하는 제2 층을 갖는 반도체 기판에 대하여, 제2 층을 선택적으로 제거하는 에칭 방법으로서, 알칼리 화합물을 포함하는 에칭액을 제2 층에 접촉시켜 제2 층을 제거하는 반도체 기판의 에칭 방법. |
申请公布号 |
KR20150140339(A) |
申请公布日期 |
2015.12.15 |
申请号 |
KR20157031644 |
申请日期 |
2014.05.01 |
申请人 |
FUJIFILM CORPORATION |
发明人 |
KAMIMURA TETSUYA;KOYAMA AKIKO;TAKAHASHI SATOMI;MIZUTANI ATSUSHI;SUGISHIMA YASUO |
分类号 |
H01L21/3213;C07F7/28;C07F15/00;C23F1/38;C23F1/40;C23F1/44;H01L29/66;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/3213 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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