| 发明名称 |
シリコンウェーハの原子オーダー平坦化表面処理方法及び熱処理装置 |
| 摘要 |
表面に原子一層のステップで段状とされた複数のテラスが形成されているシリコンウェーハにおいて、スリップラインが存在しない。 |
| 申请公布号 |
JPWO2013150636(A1) |
申请公布日期 |
2015.12.14 |
| 申请号 |
JP20120534473 |
申请日期 |
2012.04.05 |
| 申请人 |
国立大学法人東北大学 |
发明人 |
大見 忠弘;寺本 章伸;諏訪 智之 |
| 分类号 |
H01L21/324;C30B29/06;C30B33/02;H01L21/02;H01L21/302 |
主分类号 |
H01L21/324 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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