| 主权项 |
一种半导体装置，包含：写入字线；读取字线；位元线；信号线；第一记忆体单元；第一驱动电路；及第二驱动电路，其中，该第一记忆体单元包含：包含第一通道形成区之第一电晶体；包含包含氧化物半导体之第二通道形成区之第二电晶体；及电容器，其中，该第一电晶体之闸极电性连接该电容器之二电极之一者，及该第二电晶体之源极及汲极之一者，其中，该电容器经组配以藉由关闭该第二电晶体而保持该电容器之该二电极之间的电压，其中，该第一驱动电路经由该位元线而电性连接该第一电晶体之源极及汲极之一者，及经由该信号线而电性连接该第二电晶体之该源极及该汲极之另一者，其中，该第二驱动电路经由该读取字线而电性连接该电容器之该二电极之另一者，及经由该写入字线而电性连接该第二电晶体之闸极，及
其中，该第二驱动电路经组配以相对于输入至该写入字线之信号而延迟输入至该信号线之信号。
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