| 主权项 |
一种选择性地且磊晶式地形成一含矽材料在一基板表面上的方法，包含：a)将一包含有一单晶表面和至少一介电表面的基板放置在一处理腔室内，该处理腔室包含一第一辐射状区和一第二辐射状区，该第一辐射状区和一第二辐射状区包含该基板，该些辐射状区各自分别流体连通于一气体源，以区别性地控制到达该基板的该第一辐射状区与该第二辐射状区的气流，好提供该第一辐射状区与该第二辐射状区的一气流比值，该第一辐射状区包括一内部辐射状区而该第二辐射状区包括一外部辐射状区；b)将该基板暴露在一基本上由一包含一含矽沉积气体之沉积气体所构成之气体下，并将该处理腔室内的压力维持在约50torr下，以于该单晶表面上形成一磊晶层并在该介电表面上形成一第二材料，该气体以一方式流动而提供一小于1的内部辐射状区气流与外部辐射状区气流的比值(I/O)；c)接着停止流入该沉积气体到该处理腔室内，升高该处理腔室内的压力并将该基板暴露在一蚀刻气体下以维持一相对来说较高的蚀刻气体分压并蚀刻该第二材料，该蚀刻气体以一方式流动而提供一大于1的比值(I/O)；d)接着停止流入该蚀刻气体到该处理腔室内，并流入一清洁气体到该处理腔室内；及e)依序重复步骤b)、c)、和d)至少一次。
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