| 发明名称 | 记忆元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI512952 | 申请公布日期 | 2015.12.11 |
| 申请号 | TW102116127 | 申请日期 | 2013.05.06 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 郑嘉文;王景弘;彭及圣 |
| 分类号 | H01L27/115;H01L21/8247 | 主分类号 | H01L27/115 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种记忆元件，包括：一基底，所述基底中具有多数个沟渠，各沟渠沿一第一方向排列；多数个第一绝缘结构，位于所述沟渠中；多数条位元线，位于所述第一绝缘结构下方的所述基底中；多数个介电层，各介电层位于相邻的两个第一绝缘结构之间的所述基底上；多数对电荷储存结构，各电荷储存结构位于相邻的所述第一绝缘结构与所述介电层之间的所述基底上；以及多数条字元线，各字元线沿一第二方向排列，覆盖所述第一绝缘结构、所述电荷储存结构、所述介电层以及部分所述基底。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||