发明名称 可组态频宽记忆体装置及方法
摘要
申请公布号 TWI512722 申请公布日期 2015.12.11
申请号 TW099108537 申请日期 2010.03.23
申请人 美光科技公司 发明人 杰德罗 乔M
分类号 G11C11/34 主分类号 G11C11/34
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种记忆体装置,其包括:一记忆体晶粒堆叠,其包含该记忆体晶粒堆叠内之若干个记忆体部分;一逻辑晶粒,其与该记忆体晶粒堆叠堆叠在一起,且包括:该逻辑晶粒内之第一链路,其用以耦合至一始发及/或目的地装置;第二链路,其耦合至该等记忆体部分;及一开关,其用以将选定数目个该等第一链路耦合至选定数目个该等第二链路,以改变该等记忆体部分与该始发及/或目的地装置之间的频宽,其中该开关包含一第一链路与一第二链路之间的一个本端直接连接,在一给定第一链路与其他远端第二链路之间具有复数个缓冲连接。
地址 美国