发明名称 发光二极体装置及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI513033 申请公布日期 2015.12.11
申请号 TW101108359 申请日期 2012.03.12
申请人 日东电工股份有限公司 发明人 佐藤慧;伊藤久贵;大薮恭也;新堀悠纪
分类号 H01L33/00;H01L33/52;H01L33/56 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种发光二极体装置之制造方法,其特征在于:该发光二极体装置包含设置有端子之基础基板、及覆晶安装于上述基础基板上之发光二极体元件;且该发光二极体装置之制造方法包括下述步骤:准备上述基础基板;使于厚度方向之一侧设置电极部、于厚度方向之另一侧设置支撑基板,且藉由上述支撑基板支撑之光半导体层与上述基础基板于上述厚度方向上相对向配置,使上述电极部与上述端子电性连接,将上述光半导体层覆晶安装于上述基础基板上;于上述基础基板之上述厚度方向之另一侧,以被覆上述光半导体层及上述电极部之方式形成含有光反射成分之密封树脂层;以上述光半导体层或上述支撑基板露出之方式,将上述密封树脂层之上述厚度方向之另一侧部及上述支撑基板之至少上述厚度方向之另一侧部去除;以及以与上述光半导体层或上述支撑基板之上述厚度方向之另一面接触之方式形成呈片状形成之萤光体层,从而形成包含上述萤光体层、上述光半导体层及上述电极部之上述发光二极体元件。
地址 日本