| 主权项 |
1.一种氮化物半导体发光二极体晶片,其系包括: 一透明基板,以及 一氮化物半导体叠层结构,其系形成于该基板的上 部表面上, 该氮化物半导体叠层结构包括一发光层与复数个 其它半导体层,该基板具有一任意结晶学主要表面 以及具有大于120m的厚度,藉以改善由晶片中抽 取出光线的效率。 2.一种氮化物半导体发光二极体晶片,其系包括: 一透明基板,以及 一氮化物半导体叠层结构,其系形成于该基板的上 部表面上, 该氮化物半导体叠层结构包括一发光层与复数个 其它半导体层,该基板具有一任意结晶学主要表面 ,该晶片的至少一分割平面与垂直于该基板之上部 表面的平面夹一弯角,且比起该氮化物半导体叠层 结构的上部表面,该基板的下部表面具有较小的面 积,藉以改善由晶片中抽取出光线的效率。 3.如请求项1之氮化物半导体发光二极体晶片,其中 该晶片的至少一分割平面与垂直于该基板之上部 表面的平面夹一弯角,且比起该氮化物半导体叠层 结构的上部表面,该基板的下部表面具有较小的面 积。 4.如请求项1之氮化物半导体发光二极体晶片,其中 该基板是一绝缘基板。 5.如请求项1之氮化物半导体发光二极体晶片,其中 该基板是一蓝宝石基板或一碳化矽基板。 6.一种制造如请求项1之氮化物半导体发光二极体 晶片的方法,其系包括以下步骤: 形成一磊晶晶圆,其系具有复数个氮化物半导体层 ,该氮化物半导体层包括一发光层,该发光层是藉 晶体成长于在基板的上部表面上,以及 使用雷射光分割该晶圆,以得到该晶片,藉以改善 该晶片的良率。 7.如请求项6之方法,其中系使用一固态雷射装置作 为该雷射光的来源。 图式简单说明: 图1A与1B是显示出依据本发明第一实施例将磊晶晶 圆分割成复数个GaN基质化合物半导体发光二极体 晶片之方法的剖示图。 图2是显示出依据本发明第二实施例将磊晶晶圆分 割成复数个GaN基质化合物半导体发光二极体晶片 之方法的剖示图。 图3是显示出依据本发明第三实施例将磊晶晶圆分 割成复数个GaN基质化合物半导体发光二极体晶片 之方法的剖示图。 图4是显示出依据本发明第四实施例将磊晶晶圆分 割成复数个GaN基质化合物半导体发光二极体晶片 之方法的剖示图。 |
