| 主权项 |
1.一种具有自我重新程式化功能之非挥发性记忆 体,包括: 一记忆胞,用以储存一资料; 一感测放大器,依据一读取控制讯号而读取该记忆 胞的状态; 一栓锁电路,具有一栓锁输入端和一栓锁输出端, 其中该栓锁输入端接收该感测放大器之输出,用以 栓锁该记忆胞的状态;以及 一写入放大器,依据一写入控制讯号而决定是否要 对该记忆胞进行程式化。 2.如申请专利范围第1项所述之具有自我重新程式 化功能之非挥发性记忆体,其中该感测放大器包括 : 一第一PMOS电晶体,其闸极端接收该读取控制讯号, 其第一源/汲极端则耦接该记忆胞,其第二源/汲极 端则耦接该栓锁输入端;以及 一第一NMOS电晶体,其闸极端接收一重置控制讯号, 第一源/汲极端耦接该第一PMOS电晶体之第二源/汲 极端,而该第一NMOS电晶体之第二源/汲极端接地。 3.如申请专利范围第1项所述之具有自我重新程式 化功能之非挥发性记忆体,更包括一载入开关,系 依据一载入控制讯号而将一写入资料送至该栓锁 输入端。 4.如申请专利范围第3项所述之具有自我重新程式 化功能之非挥发性记忆体,其中该载入开关包括一 第二NMOS电晶体,其闸极端接收该载入控制讯号,其 第一源/汲极端则耦接该栓锁输入端。 5.如申请专利范围第1项所述之具有自我重新程式 化功能之非挥发性记忆体,其中该栓锁电路包括一 第一反相电路,其输入端和输出端分别对应耦接该 栓锁输入端和该栓锁输出端。 6.如申请专利范围第5项所述之具有自我重新程式 化功能之非挥发性记忆体,其中该栓锁电路更包括 : 一第二PMOS电晶体,其第一源/汲极端耦接一直流偏 压,而其第二源/汲极端和闸极端分别对应耦接该 栓锁输入端和该栓锁输出端;以及 一第三NMOS电晶体,其第一源/汲极端和闸极端分别 对应耦接该栓锁输入端和该栓锁输出端,而该第三 NMOS电晶体之第二源/汲极端则是接地。 7.如申请专利范围第1项所述之具有自我重新程式 化功能之非挥发性记忆体,其中该写入放大器更包 括: 一第四NMOS电晶体,其闸极端接收一写入控制讯号, 其第一源/汲极端耦接该记忆胞,而其第二源/汲极 端耦接第五NMOS电晶体第一源/汲极端;以及 一第五NMOS电晶体,其闸极端耦接该栓锁输入端,其 第一源/汲极端和第二源/汲极端分别对应耦接该 第四NMOS电晶体之第二源/汲极端和接地。 8.如申请专利范围第1项所述之具有自我重新程式 化功能之非挥发性记忆体,其中该记忆胞包括一 PMOS记忆元件,其闸极端耦接一字元线,其第一源/汲 极端耦接一位元线,并耦接至一直流偏压,而其第 二源/汲极端则耦接该第一PMOS电晶体之第一源/汲 极端。 9.如申请专利范围第8项所述之具有自我重新程式 化功能之非挥发性记忆体,其中该记忆元件为可利 用高电压/电流写入方式来改变其临界电压( Threshold Voltage)的元件。 图式简单说明: 图1绘示了一种习知之非挥发性记忆体的制造流程 图。 图2绘示了依照本发明之一较佳实施例的一种具有 自我重新程式化功能之非挥发性记忆体的架构方 块图。 图3绘示了依照本发明之一较佳实施例的一种具有 自我重新程式化功能之非挥发性记忆体的电路图 。 图4绘示了依照本发明之一较佳实施例之图2中各 控制讯号的时序图。 图5绘示了一种当要对记忆胞进行程式化的讯号时 序图。 |
